Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10N60M2, 600 В, 4,9 А, TO220-3 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10N60M2 — це польовий транзистор з каналом типу «збагачуваний» та технологією MDmesh™ M2. Максимальна напруга стік-витік — 600 В, максимальний струм стоку — 4,9 А. У комплекті поставляється 20 одиниць у корпусі TO220-3.

• Тип транзистора: N-MOSFET, польовий
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 4,9 А
• Корпус: TO220-3, вставний монтаж
• Технологія: MDmesh™ M2
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік (Vds) становить 600 В, що визначає робочий діапазон напруги. Максимально допустимий струм стоку (Id) дорівнює 4,9 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 600 мОм, що впливає на теплові втрати при протіканні струму. Максимальна потужність розсіювання — 85 Вт.

Конструкція та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі TO220-3 з вставним типом монтажу. Поляризація транзистора — уніполярна, канал — збагачуваний (enhancement mode).

Комплектація

У наборі 20 транзисторів STP10N60M2. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 25 В. Імпульсний струм стоку (Idm) — 30 А. Заряд затвора — 13,5 нКл.