Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN1NK60Z, 600 В, 189 мА, SOT223 (набір 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN1NK60Z — це польовий транзистор з каналом збагачення, з максимально допустимою напругою стік-витік 600 В. Пристрій виконаний у корпусі SOT223 та має максимальну потужність розсіювання 3,3 Вт.

• Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 189 мА
• Потужність розсіювання: 3,3 Вт
• Корпус: SOT223 (поверхневий монтаж)
• Кількість у наборі: 30 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 600 В, що визначає робочий діапазон пристрою. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 189 мА (0,189 А). Напруга затвор-витік обмежена значенням 30 В. Максимальна потужність розсіювання — 3,3 Вт.

Конструкція та монтаж

Транзистор виготовлений за технологією SuperMesh™ та має версію ESD. Корпус SOT223 забезпечує поверхневий монтаж (SMD). Тип монтажу — поверхневий.

Комплектація

У комплекті поставляється 30 штук транзисторів STN1NK60Z. Канал транзистора — збагачений (wzbogacany), полярність — уніполярна (unipolarny).