Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW80H65DFB, 650 В, 80 А, 470 Вт, TO247-3 (набір 5 шт.)
2 520 ₴
- В наявності
- Код: TM206706
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW80H65DFB, 650 В, 80 А, 470 Вт, TO247-3 (набір 5 шт.)В наявності
2 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW80H65DFB — біполярний транзистор з ізольованим затвором у корпусі TO247-3, тип монтажу — вставний. Основні параметри з найменування TME: 650 В, 80 А, 470 Вт. У наборі 5 шт.
- Параметри з найменування TME: 650 В, 80 А, 470 Вт
- Максимально допустима напруга колектор-емітер: 650 В
- Напруга затвор-емітер: ±20 В
- Заряд затвора: 414 нКл
- Корпус: TO247-3
- Кількість у наборі: 5 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга колектор-емітер — 650 В. Максимальна потужність розсіювання — 470 Вт. Напруга затвор-емітер — ±20 В. Заряд затвора — 414 нКл. Транзистор має вбудований антипаралельний діод.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 470 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 300 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 520 ₴