Транзистор IGBT STMicroelectronics STGF30M65DF2, 650 В, 30 А, 38 Вт, TO220FP (набір 10 шт.)
2 580 ₴
- В наявності
- Код: TM206700
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGF30M65DF2, 650 В, 30 А, 38 Вт, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
2 580 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGF30M65DF2 — біполярний транзистор з ізольованим затвором у корпусі TO220FP, тип монтажу — вставний. Основні параметри з найменування TME: 650 В, 30 А, 38 Вт. У наборі 10 шт.
- Параметри з найменування TME: 650 В, 30 А, 38 Вт
- Максимально допустима напруга колектор-емітер: 650 В
- Напруга затвор-емітер: ±20 В
- Заряд затвора: 80 нКл
- Корпус: TO220FP
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга колектор-емітер — 650 В. Максимальна потужність розсіювання — 38 Вт. Напруга затвор-емітер — ±20 В. Заряд затвора — 80 нКл. Транзистор має вбудований антипаралельний діод.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 38 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 120 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 580 ₴