Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF9N60M2, 650 В, 5,5 А, TO220FP (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF9N60M2 — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі TO220FP. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 650 В та струм стоку 5,5 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Максимальний струм стоку: 5,5 А
• Корпус: TO220FP
• Опір у відкритому стані: 720 мОм
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 650 В та напругу затвор-витік 25 В. Максимально допустимий струм стоку становить 5,5 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 720 мОм. Максимальна потужність розсіювання обмежена значенням 20 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO220FP з вставним типом монтажу. Це польовий транзистор з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) та уніполярною поляризацією. Заряд затвора становить 10 нКл, а імпульсний струм стоку може досягати 22 А.

Комплектація

У наборі постачається 20 транзисторів STF9N60M2. Кількість у комплекті: 20 шт.