Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF35N65DM2, 650 В, 20 А (5 шт.)
3 030 ₴
- В наявності
- Код: TM206691
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF35N65DM2, 650 В, 20 А (5 шт.)В наявності
3 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF35N65DM2 — це польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією MDmesh™ DM2. Максимальна напруга стік-витік: 650 В, максимальний струм стоку: 20 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 650 В
- Максимальний струм стоку: 20 А
- Опір у відкритому стані: 110 мОм
- Корпус: TO220FP
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга стік-витік становить 650 В, що визначає робочий діапазон пристрою. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 20 А, а імпульсний струм може досягати 90 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 110 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 40 Вт.
Конструкція та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі TO220FP із вставним типом монтажу. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена значенням 25 В. Заряд затвора становить 56,3 нКл.
Канал та полярність
Транзистор має збагачуваний канал (wzbogacany) та є уніполярним (unipolarny).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 40 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 20 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 110 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | MDmesh™ DM2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 030 ₴