Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF26NM60N, 600 В, 12,6 А, 5 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF26NM60N — це польовий транзистор з каналом типу N, виконаний за технологією MDmesh™ II. Прилад має максимальну напругу стік-витік 600 В та струм стоку 12,6 А.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 12,6 А
• Потужність розсіювання: 35 Вт
• Опір у відкритому стані: 135 мОм
• Корпус: TO220FP, вставний монтаж
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В та напругу затвор-витік 30 В. Максимально допустимий струм стоку становить 12,6 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 135 мОм, що визначає втрати при пропусканні струму.

Потужність та конструкція

Максимальна потужність розсіювання транзистора — 35 Вт. Прилад виконаний у корпусі TO220FP з вставним типом монтажу. Транзистор є уніполярним з каналом типу N (wzbogacany).

Технологія та монтаж

Прилад виконаний за технологією MDmesh™ II. Корпус TO220FP призначений для вставного монтажу на друковану плату.