Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF13N60DM2, 600 В, 7 А, TO220FP (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF13N60DM2 — це польовий транзистор з каналом збагачення та технологією MDmesh™ DM2. Прилад має максимальну напругу стік-витік 600 В та струм стоку 7 А, виготовлений у корпусі TO220FP для вставного монтажу.

• Тип транзистора: N-MOSFET, польовий, уніполярний
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 7 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 365 мОм
• Корпус: TO220FP, вставний монтаж
• Технологія: MDmesh™ DM2
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 600 В та напругою затвор-витік 25 В. Максимально допустимий струм стоку становить 7 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 365 мОм. Заряд затвора становить 19 нКл.

Конструкція та монтаж

Прилад виготовлений у корпусі TO220FP, що забезпечує вставний тип монтажу. Максимальна потужність розсіювання становить 25 Вт. Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом.

Імпульсні характеристики та каналування

Імпульсний струм стоку (Idm) становить 44 А. Канал транзистора є збагачуваним, а полярність — уніполярною. У наборі поставляється 10 транзисторів STF13N60DM2.