Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF11N60DM2, 600 В, 10 А, TO220FP (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF11N60DM2 — це польовий транзистор з ізольованим затвором у корпусі TO220FP. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В та струм стоку 10 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 10 А
• Потужність розсіювання: 25 Вт
• Опір у відкритому стані: 420 мОм
• Корпус: TO220FP (вставний монтаж)
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 600 В та максимально допустимий струм стоку 10 А. Максимальна потужність розсіювання становить 25 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 420 мОм.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO220FP. Тип монтажу — вставний (THT). Транзистор є уніполярним з каналом типу «wzbogacany» (збагачений канал).

Комплектація

У наборі постачається 10 транзисторів STF11N60DM2. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 25 В. Імпульсний струм стоку (Idm) досягає 40 А. Заряд затвора (Qg) дорівнює 16,5 нКл.