
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD1NK60T4, 600 В, 1 А, DPAK (набір 20 шт.)
2 010 ₴
- В наявності
- Код: TM206678
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD1NK60T4 — це польовий транзистор з індукованим каналом у корпусі DPAK. Комплект складається з 20 одиниць.
- Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 1 А
- Потужність розсіювання: 30 Вт
- Корпус: DPAK, поверхневий монтаж
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 600 В, а максимально допустимий струм стоку — 1 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 30 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) — 8500 мОм.
Конструкція та монтаж
Транзистор виготовлений за технологією SuperMesh™. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Корпус — DPAK.
Полярність та каналізація
У наборі 20 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 010 ₴
