Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD10NM60N, 600 В, 5 А, DPAK — набір 20 шт.
2 920 ₴
- В наявності
- Код: TM206676
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD10NM60N, 600 В, 5 А, DPAK — набір 20 шт.В наявності
2 920 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD10NM60N — польовий транзистор з каналом збагачення (unipolarny) у корпусі DPAK. Максимальна напруга стік-витік — 600 В, максимальний струм стоку — 5 А.
- Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 5 А
- Потужність розсіювання: 70 Вт
- Корпус: DPAK (поверхневий монтаж)
- Опір у відкритому стані: 550 мОм
Електричні параметри
Максимально допустима напруга стік-витік становить 600 В. Максимальний струм стоку — 5 А, а потужність розсіювання — 70 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 550 мОм.
Конструкція та монтаж
Транзистор виконаний у поверхневому монтажі у корпусі DPAK. Тип монтажу: поверхневий. Корпус: DPAK.
Комплектація та канал
У комплекті 20 шт. Канал транзистора — збагачений (wzbogacany), полярність — уніполярна (unipolarny).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 550 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 920 ₴