Транзистор STMicroelectronics STB11NK40ZT4, N-MOSFET, 400 В, 5,67 А, D2PAK (10 шт.)

Транзистор STMicroelectronics STB11NK40ZT4 — це польовий N-MOSFET з каналом збагачення, розрахований на максимальну напругу стік-витік 400 В та струм стоку 5,67 А. Прилад виконаний у корпусі D2PAK із технологією SuperMesh™ та має захист від електростатичного розряду (ESD).

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 400 В
• Максимальний струм стоку: 5,67 А
• Потужність розсіювання: 110 Вт
• Корпус: D2PAK, монтаж: поверхневий
• Опір у відкритому стані: 550 мОм
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Максимальна потужність розсіювання транзистора становить 110 Вт, що визначає його тепловий режим роботи. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена значенням 30 В, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 550 мОм. Ці характеристики відповідають специфікації моделі STB11NK40ZT4.

Конструкція та монтаж

Транзистор призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі типу D2PAK. Версія ESD вказує на наявність вбудованого захисту від електростатичного розряду. Використовується технологія SuperMesh™, зазначена у специфікації виробника.

Полярність та канал транзистора

Транзистор має уніполярну полярність та канал збагачення (wzbogacany), що відповідає специфікації N-MOSFET.