Транзистор P-MOSFET Toshiba SSM6J511NU,LF(T, uDFN6, 10 В, 19,2 мОм, набір 50 шт.)
1 950 ₴
- В наявності
- Код: TM206658
Транзистор P-MOSFET Toshiba SSM6J511NU,LF(T, uDFN6, 10 В, 19,2 мОм, набір 50 шт.)В наявності
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний польовий транзистор Toshiba SSM6J511NU,LF(T у корпусі uDFN6. Максимальна напруга затвор-витік становить 10 В, опір у відкритому стані — 19,2 мОм.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Корпус: uDFN6, поверхневий монтаж
- Максимальна напруга затвор-витік: 10 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 19,2 мОм
- Максимальна потужність розсіювання: 1,25 Вт
- Кількість у комплекті: 50 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом p-типу. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 10 В. Опір у відкритому стані (Rds) становить 19,2 мОм. Максимальна потужність розсіювання обмежена значенням 1,25 Вт.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у поверхневому корпусі uDFN6. Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду. Монтаж здійснюється методом поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
У комплекті поставляється 50 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 10 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 19.2 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | uDFN6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 950 ₴