Транзистор P-MOSFET Toshiba SSM3J332R,LF(T, SOT23F, 150 шт.
2 360 ₴
- В наявності
- Код: TM206656
Транзистор P-MOSFET Toshiba SSM3J332R,LF(T, SOT23F, 150 шт.В наявності
2 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор Toshiba SSM3J332R,LF(T — це польовий P-канальний MOSFET у корпусі SOT23F. Пристрій має максимальну потужність розсіювання 1 Вт та опір у відкритому стані 144 мОм.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Корпус: SOT23F, поверхневий монтаж
- Максимальна потужність розсіювання: 1 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 144 мОм
- Максимальна напруга затвор-витік: 12 В
- Кількість у комплекті: 150 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) та уніполярною поляризацією. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 12 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 144 мОм, що визначає втрати при проходженні струму.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у поверхневому корпусі SOT23F. Версія пристрою позначена як ESD. Заряд затвора становить 8,2 нКл.
Комплектація
У наборі постачається 150 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Максимальна потужність розсіювання | 1 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 144 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SOT23F |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 360 ₴