Транзистор P-MOSFET Toshiba SSM3J331R,LF, SOT23F, 200 шт.
2 230 ₴
- В наявності
- Код: TM206655
Транзистор P-MOSFET Toshiba SSM3J331R,LF, SOT23F, 200 шт.В наявності
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Toshiba SSM3J331R,LF у корпусі SOT23F.
- Тип транзистора: Польовий
- Максимальна потужність розсіювання: 2 Вт
- Максимально допустима напруга затвор-витік: 8 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 150 мОм
- Корпус: SOT23F
- Кількість у комплекті: 200 шт.
Електричні параметри та характеристики
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом, що збагачується. Максимальна потужність розсіювання становить 2 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік — 8 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 150 мОм. Імпульсний струм дренажу (Idm) — -10 А.
Конструкція та монтаж
Тип монтажу — поверхневий. Корпус компонента — SOT23F. Версія транзистора — ESD. Поляризація — уніполярна.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 150 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 200 шт. |
| Корпус | SOT23F |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 230 ₴