Транзистор P-MOSFET VISHAY SQM100P10-19L_GE3, -100 В, -53 А, 125 Вт, D2PAK (набір 10 шт.)
3 630 ₴
- В наявності
- Код: TM206623
Транзистор P-MOSFET VISHAY SQM100P10-19L_GE3, -100 В, -53 А, 125 Вт, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
3 630 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор P-MOSFET VISHAY SQM100P10-19L_GE3 у корпусі D2PAK, TO263. Напруга стік-витік — -100 В, струм стоку — -53 А, максимальна потужність розсіювання — 125 Вт. У наборі 10 шт.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: -100 В
- Струм стоку: -53 А
- Потужність розсіювання: 125 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 19 мОм
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 19 мОм. Заряд затвора — 0,22 мкКл.
Конструкція
Тип монтажу — поверхневий. Транзистор уніполярний, канал збагачуваного типу.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 19 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK, TO263 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 630 ₴