Транзистор P-MOSFET Vishay SQ4153EY-T1_GE3, -12В, -14А, SO8 (набір 10 шт.)
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM206619
Транзистор P-MOSFET Vishay SQ4153EY-T1_GE3, -12В, -14А, SO8 (набір 10 шт.)В наявності
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SQ4153EY-T1_GE3 — це польовий транзистор з каналом збагачення та уніполярною поляризацією. Призначений для поверхневого монтажу в корпусі SO8, розрахований на максимальну потужність розсіювання 2,3 Вт.
- Тип транзистора: P-MOSFET, польовий, уніполярний
- Максимальна потужність розсіювання: 2,3 Вт
- Максимальний струм: -14 А
- Опір у відкритому стані (Rds): 8,32 мОм
- Корпус: SO8, тип монтажу: поверхневий
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює при максимальній напрузі затвор-витік 8 В та витримує струм до -14 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 8,32 мОм. Заряд затвора дорівнює 151 нКл.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD). Тип монтажу: поверхневий (SMD). Канал транзистора — збагачений (enhancement mode).
Комплектація
У наборі постачається 10 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8.32 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | SO8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴