Транзистор P-MOSFET VISHAY SQ3427EV-T1_GE3, -60 В, -5,3 А, 5 Вт, SC74 (набір 20 шт.)
2 070 ₴
- В наявності
- Код: TM206618
Транзистор P-MOSFET VISHAY SQ3427EV-T1_GE3, -60 В, -5,3 А, 5 Вт, SC74 (набір 20 шт.)В наявності
2 070 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор P-MOSFET VISHAY SQ3427EV-T1_GE3 у корпусі SC74, TSOP6, технологія TrenchFET®. Напруга стік-витік — -60 В, струм стоку — -5,3 А, максимальна потужність розсіювання — 5 Вт. У наборі 20 шт.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: -60 В
- Струм стоку: -5,3 А
- Потужність розсіювання: 5 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 178 мОм
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 178 мОм. Імпульсний струм стоку — -21 А. Заряд затвора — 22 нКл.
Конструкція
Тип монтажу — поверхневий. Транзистор уніполярний, канал збагачуваного типу.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 178 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SC74, TSOP6 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 070 ₴