Транзистор N-MOSFET Vishay SQ2364EES-T1_GE3, 60 В, 1,3 А, SOT23 — набір 30 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay SQ2364EES-T1_GE3 — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі SOT23. Модель розрахована на максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 1,3 А при потужності розсіювання 1 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стоку: 1,3 А
• Потужність розсіювання: 1 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 245 мОм
• Корпус: SOT23 (поверхневий монтаж)
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 60 В та максимально допустимий струм стоку 1,3 А. Максимальна потужність розсіювання становить 1 Вт, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 245 мОм. Напруга затвор-витік обмежена значенням 8 В.

Конструкція та монтаж

Пристрій виконаний у поверхневому корпусі SOT23. Це польовий транзистор типу N-MOSFET з каналом збагачення та уніполярною поляризацією. Версія компонента позначена як ESD.

Комплектація та версія

У комплекті поставляється 30 шт. транзисторів. Компонент має версію ESD, що вказує на його специфікацію.