Транзистор N-MOSFET Infineon SPP20N65C3, 650 В, 13.1 А, 208 Вт (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon SPP20N65C3 — це польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на напругу стік-витік до 650 В та струм стоку 13.1 А. Прилад виготовлений за технологією CoolMOS™ у корпусі PG-TO220-3 для вставного монтажу.

• Напруга стік-витік: 650 В
• Струм стоку: 13.1 А
• Потужність розсіювання: 208 Вт
• Опір у відкритому стані: 190 mOm
• Корпус: PG-TO220-3
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 650 В, а напруга затвор-витік обмежена 20 В. Максимальний струм стоку дорівнює 13.1 А, що визначає робочий діапазон пристрою. Опір у відкритому стані (Rds) зафіксований на рівні 190 mOm. Максимальна потужність розсіювання транзистора — 208 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією CoolMOS™, що є ключовою особливістю цієї серії. Корпус PG-TO220-3 забезпечує вставний монтаж на плату. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення.

Технологія та конструкція

У комплекті поставки знаходиться 5 шт. транзисторів.