Транзистор P-MOSFET Infineon SPD50P03LGBTMA1, 150 Вт, PG-TO252-5 (набір 10 шт.)
2 300 ₴
- В наявності
- Код: TM206609
Транзистор P-MOSFET Infineon SPD50P03LGBTMA1, 150 Вт, PG-TO252-5 (набір 10 шт.)В наявності
2 300 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний польовий транзистор Infineon Technologies моделі SPD50P03LGBTMA1 у корпусі PG-TO252-5. Пристрій виконано за технологією OptiMOS™ P, максимальна потужність розсіювання становить 150 Вт. У комплекті поставляється 10 одиниць.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Максимальна потужність розсіювання: 150 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 7 мОм
- Корпус: PG-TO252-5
- Тип монтажу: поверхневий
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним P-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 150 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) становить 7 мОм.
Конструкція та монтаж
Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD). Корпус має типорозмір PG-TO252-5. Використано технологію OptiMOS™ P.
Комплектація
У наборі міститься 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO252-5 |
| Технологія | OptiMOS™ P |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 300 ₴