Транзистор N-MOSFET Infineon SPD50N03S207GBTMA1, 30В, 50А, 136Вт (комплект 40 шт.)
1 950 ₴
- В наявності
- Код: TM206608
Транзистор N-MOSFET Infineon SPD50N03S207GBTMA1, 30В, 50А, 136Вт (комплект 40 шт.)В наявності
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель SPD50N03S207GBTMA1. Це польовий транзистор з максимальним струмом стоку 50 А та напругою стік-витік 30 В, призначений для поверхневого монтажу.
- Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
- Максимальний струм стоку: 50 А
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Потужність розсіювання: 136 Вт
- Опір у відкритому стані: 7.3 мОм
- Корпус: PG-TO252-3
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 136 Вт. Максимально допустима напруга стік-витік становить 30 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 7.3 мОм.
Конструкція та монтаж
Виріб виконаний у корпусі PG-TO252-3. Тип монтажу — поверхневий. Використовується технологія OptiMOS™.
У комплекті поставляється 40 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 136 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 50 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7.3 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технологія | OptiMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 950 ₴