Транзистор P-MOSFET INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06PGBTMA1, -60 В, -30 А, 125 Вт, PG-TO252-3 (набір 20 шт.)
3 120 ₴
- В наявності
- Код: TM206607
Транзистор P-MOSFET INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06PGBTMA1, -60 В, -30 А, 125 Вт, PG-TO252-3 (набір 20 шт.)В наявності
3 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор P-MOSFET INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06PGBTMA1 у корпусі PG-TO252-3, технологія SIPMOS™. Напруга стік-витік — -60 В, струм стоку — -30 А, максимальна потужність розсіювання — 125 Вт. У наборі 20 шт.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: -60 В
- Струм стоку: -30 А
- Потужність розсіювання: 125 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 75 мОм
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 75 мОм.
Конструкція
Тип монтажу — поверхневий. Транзистор уніполярний, канал збагачуваного типу.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 75 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технологія | SIPMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 120 ₴