Транзистор N-MOSFET Infineon SPB20N60C3, 650 В, 20,7 А, PG-TO263-3 (набір 10 шт.)
3 290 ₴
- В наявності
- Код: TM206603
Транзистор N-MOSFET Infineon SPB20N60C3, 650 В, 20,7 А, PG-TO263-3 (набір 10 шт.)В наявності
3 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель SPB20N60C3. Це польовий транзистор з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) у корпусі PG-TO263-3 для поверхневого монтажу. У комплекті 10 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 650 В
- Максимальний струм стоку: 20,7 А
- Потужність розсіювання: 208 Вт
- Корпус: PG-TO263-3 (поверхневий монтаж)
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 650 В та максимально допустимий струм стоку 20,7 А. Максимальна потужність розсіювання становить 208 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 190 mOm. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В.
Конструкція та монтаж
Компонент виготовлений за технологією CoolMOS™. Корпус PG-TO263-3 призначений для поверхневого монтажу (SMT). Транзистор є уніполярним.
Комплектація
У наборі 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 208 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 20.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Технологія | CoolMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 290 ₴