Транзистор ONSEMI SMUN5113DW1T1G, PNP x2, 50В, 0.1А, 0.25Вт, SOT363 (80 шт.)

Транзистор ONSEMI SMUN5113DW1T1G — це біполярний компонент типу PNP у подвійному виконанні (PNP x2). Пристрій має максимальну напругу колектор-емітер 50 В, струм колектора 0.1 А та потужність розсіювання 0.25 Вт. Вбудовані резистори бази та емітер-база мають номінал 47 кОм.

• Тип транзистора: біполярний PNP x2
• Максимальна напруга колектор-емітер: 50 В
• Максимальний струм колектора: 0.1 А
• Потужність розсіювання: 0.25 Вт
• Корпус: SOT363 (SC70-6, SC88)
• Резистори бази та емітер-база: 47 кОм
• Кількість у комплекті: 80 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою колектор-емітер 50 В. Максимальний струм колектора становить 0.1 А, а гранична потужність розсіювання — 0.25 Вт. Компонент є біполярним, що визначає його принцип роботи та підключення.

Конструкція та монтаж

Використовується поверхневий тип монтажу (SMD). Корпус має позначення SC70-6, SC88 або SOT363. Внутрішня схема включає резистор бази та резистор емітер-база з опором 47 кОм кожен.

Комплектація

У комплекті поставляється 80 штук транзисторів. Виробником є компанія ONSEMI, символ виробника SMUN5113DW1T1G.