Транзистор IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM75GB17E4, 510 А, 1,7 кВ (SKM75GB17E4 22895030)

IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS SKM75GB17E4 — напівпровідниковий компонент у корпусі SEMITRANS2 з топологією напівмоста. Модуль має максимальний струм колектора 510 А та максимальну зворотну напругу 1,7 кВ.

• Максимальний струм колектора: 510 А
• Максимальна зворотна напруга: 1,7 кВ
• Корпус: SEMITRANS2
• Топологія: напівмост IGBT
• Напруга затвор-емітер: ±20 В
• Тип монтажу: прикручуваний

Електричні параметри

Модуль працює з максимальним струмом колектора 510 А та витримує зворотну напругу до 1,7 кВ. Напруга між затвором та емітером становить ±20 В. Структура напівпровідника реалізована за схемою «транзистор/транзистор» у топології IGBT-напівмоста.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений у стандартному корпусі SEMITRANS2. Механічне кріплення модуля здійснюється за допомогою болтів (прикручуваний монтаж). Електричне з'єднання передбачає використання конекторів FASTON або болтового з'єднання.