Транзисторний модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SKM50GB12T4, 22892000, напівміст, 150 А, 1,2 кВ, SEMITRANS2
6 160 ₴
- В наявності
- Код: TM206300
Транзисторний модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SKM50GB12T4, 22892000, напівміст, 150 А, 1,2 кВ, SEMITRANS2В наявності
6 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзисторний модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SKM50GB12T4 (код виробника SKM50GB12T4, 22892000) у корпусі SEMITRANS2. Топологія — напівміст IGBT, структура — транзистор/транзистор. Максимальна зворотна напруга — 1,2 кВ, максимально допустимий струм колектора — 150 А.
- Тип модуля: IGBT, напівміст
- Максимальна зворотна напруга: 1,2 кВ
- Максимально допустимий струм колектора: 150 А
- Напруга затвор-емітер: ±20 В
- Корпус: SEMITRANS2
- Монтаж: гвинтовий, роз'єми FASTON
Керування та монтаж
Напруга затвор-емітер — ±20 В. Версія — D61. Механічне кріплення модуля — гвинтове, електричне підключення — роз'єми FASTON і гвинтові виводи.
Застосування
Застосування за даними TME: ДБЖ (UPS), інвертори, фотовольтаїка.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимально допустимий струм колектора | 150 А |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | D61 |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Корпус | SEMITRANS2 |
| Виробник | SEMIKRON DANFOSS |
Інформація для замовлення
- Ціна: 6 160 ₴