Транзистор IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM25GD125D, корпус SEMITRANS6 (SKM25GD125D 21918000)

IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM25GD125D — це напівпровідниковий прилад у корпусі SEMITRANS6 з топологією трифазного мосту. Максимально допустимий струм колектора становить 50 А, а максимальна зворотна напруга — 1,2 кВ.

• Максимальний струм колектора: 50 А
• Максимальна зворотна напруга: 1,2 кВ
• Топологія: трифазний IGBT-міст
• Корпус: SEMITRANS6
• Монтаж: прикручування та конектори FASTON

Електричні параметри

Модуль розрахований на роботу зі струмом колектора до 50 А. Максимальна зворотна напруга дорівнює 1,2 кВ. Напруга між затвором та емітером обмежена діапазоном ±20 В.

Конструкція та монтаж

Прилад має структуру «транзистор/транзистор» і реалізує топологію трифазного IGBT-мосту. Корпус виконано за стандартом SEMITRANS6. Механічне кріплення здійснюється прикручуванням, а електричне з'єднання виконується через конектори FASTON.