Транзисторний модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SKM200GB12T4 22892060, напівміст, 600 А, 1,2 кВ, SEMITRANS3
14 410 ₴
- В наявності
- Код: TM206294
Транзисторний модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SKM200GB12T4 22892060, напівміст, 600 А, 1,2 кВ, SEMITRANS3В наявності
14 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзисторний модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SKM200GB12T4 (код виробника SKM200GB12T4 22892060) у корпусі SEMITRANS3. Топологія — напівміст IGBT, структура — транзистор/транзистор. Максимальна зворотна напруга — 1,2 кВ, максимально допустимий струм колектора — 600 А.
- Тип модуля: IGBT, напівміст
- Максимальна зворотна напруга: 1,2 кВ
- Максимально допустимий струм колектора: 600 А
- Напруга затвор-емітер: ±20 В
- Корпус: SEMITRANS3
- Монтаж: гвинтовий, роз'єми FASTON
Керування та монтаж
Напруга затвор-емітер — ±20 В. Версія — D56. Механічне кріплення модуля — гвинтове, електричне підключення — роз'єми FASTON і гвинтові виводи.
Застосування
Застосування за даними TME: ДБЖ (UPS), інвертори, фотовольтаїка.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимально допустимий струм колектора | 600 А |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | D56 |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Корпус | SEMITRANS3 |
| Виробник | SEMIKRON DANFOSS |
Інформація для замовлення
- Ціна: 14 410 ₴