Транзистор P-MOSFET Vishay SIUD401ED-T1-GE3 — це польовий транзистор з каналом збагачення, виконаний за технологією TrenchFET®. Прилад призначений для поверхневого монтажу в корпусі PowerPAK® 0806-3.
- Тип транзистора: Польовий
- Тип монтажу: Поверхневий
- Максимальна потужність розсіювання: 1,25 Вт
- Максимально допустима напруга затвор-витік: 12 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 3500 мОм
- Корпус: PowerPAK® 0806-3
- Кількість у комплекті: 50 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 1,25 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 12 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 3500 мОм.
Конструкція та монтаж
Транзистор має тип монтажу «Поверхневий». Корпус — PowerPAK® 0806-3. Використовується технологія TrenchFET®.
Додаткові характеристики з джерела магазину
У наборі 50 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | PowerPAK® 0806-3 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 990 ₴

