Транзистор P-MOSFET Vishay SISS61DN-T1-GE3, комплект 20 шт.
2 950 ₴
- В наявності
- Код: TM206149
Транзистор P-MOSFET Vishay SISS61DN-T1-GE3, комплект 20 шт.В наявності
2 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний польовий транзистор Vishay SISS61DN-T1-GE3 у корпусі PowerPAK® 1212-8. Пристрій виготовлений за технологією TrenchFET® та призначений для поверхневого монтажу. У комплекті поставляється 20 одиниць.
- Тип транзистора: польовий
- Максимальна потужність розсіювання: 42,1 Вт
- Максимально допустима напруга затвор-витік: 8 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 9,8 мОм
- Корпус: PowerPAK® 1212-8
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання транзистора становить 42,1 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 8 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 9,8 мОм.
Конструкція та монтаж
Транзистор має польовий тип та виконаний у корпусі PowerPAK® 1212-8. Виробник застосував технологію TrenchFET®. Тип монтажу — поверхневий (SMD).
Комплектація
У наборі міститься 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 42.1 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9.8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 950 ₴