Транзистор P-MOSFET Vishay SISS27DN-T1-GE3, 36 Вт, 20 шт.
2 500 ₴
- В наявності
- Код: TM206148
Транзистор P-MOSFET Vishay SISS27DN-T1-GE3, 36 Вт, 20 шт.В наявності
2 500 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SISS27DN-T1-GE3 — це польовий транзистор із каналом збагачення та технологією TrenchFET®. Прилад має максимальну потужність розсіювання 36 Вт та опір у відкритому стані 9 мОм.
- Тип транзистора: польовий P-MOSFET
- Технологія: TrenchFET®
- Корпус: PowerPAK® 1212-8
- Максимальна потужність розсіювання: 36 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 9 мОм
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Основні електричні характеристики
Транзистор є уніполярним із максимально допустимою напругою затвор-витік 20 В. Заряд затвора становить 0,14 мкКл. Імпульсний струм стоку може досягати -200 А.
Конструкція та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі PowerPAK® 1212-8. Тип монтажу — поверхневий.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 36 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 500 ₴