Транзистор P-MOSFET Vishay SISS23DN-T1-GE3, 20 шт.
2 980 ₴
- В наявності
- Код: TM206147
Транзистор P-MOSFET Vishay SISS23DN-T1-GE3, 20 шт.В наявності
2 980 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SISS23DN-T1-GE3 із технологією TrenchFET® у комплекті з 20 штук. Пристрій має максимальну потужність розсіювання 36 Вт та опір у відкритому стані 4.5 мОм.
- Тип транзистора: P-MOSFET (польовий)
- Максимальна потужність розсіювання: 36 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 4.5 мОм
- Максимальна напруга затвор-витік: 8 В
- Корпус: PowerPAK® 1212-8
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом збагачення та уніполярною поляризацією. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 8 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 4.5 мОм.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PowerPAK® 1212-8 із поверхневим монтажем (SMD). Технологія TrenchFET®. Максимальна потужність розсіювання — 36 Вт.
Комплектація та ідентифікація
У наборі постачається 20 транзисторів. Символ виробника: SISS23DN-T1-GE3. Імпульсний струм дренажу становить -200 А, заряд затвора — 300 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 36 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 980 ₴