Транзистор P-MOSFET Vishay SIS413DN-T1-GE3, TrenchFET, 20 В (Vgs), 33 Вт, 20 шт.

Транзистор P-MOSFET Vishay SIS413DN-T1-GE3 — це польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Прилад має максимальну напругу затвор-витік 20 В та опір у відкритому стані 13,2 мОм.

• Тип транзистора: Польовий (P-MOSFET)
• Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В
• Опір у відкритому стані (Rds): 13,2 мОм
• Максимальна потужність розсіювання: 33 Вт
• Корпус: PowerPAK® 1212-8, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В. Максимальна потужність розсіювання — 33 Вт, опір у відкритому стані (Rds) — 13,2 мОм.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі PowerPAK® 1212-8 із поверхневим монтажем (SMD). Технологія виготовлення: TrenchFET®. Поляризація транзистора — уніполярна, тип монтажу — поверхневий.

Комплектація та ідентифікація

У наборі постачається 20 транзисторів. Символ виробника: SIS413DN-T1-GE3.