Транзистор N-MOSFET Vishay SIRC16DP-T1-GE3, 25В, 60А, PowerPAK SO8 (набір 10 шт.)
1 980 ₴
- В наявності
- Код: TM206145
Транзистор N-MOSFET Vishay SIRC16DP-T1-GE3, 25В, 60А, PowerPAK SO8 (набір 10 шт.)В наявності
1 980 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
N-канальний MOSFET-транзистор Vishay SIRC16DP-T1-GE3 з технологією TrenchFET® у корпусі PowerPAK® SO8. Максимальний струм стоку становить 60 А при напрузі стік-витік 25 В. У комплекті 10 одиниць.
- Струм стоку: 60 А
- Напруга стік-витік: 25 В
- Опір відкритого стану: 1,4 мОм
- Корпус: PowerPAK® SO8
- Технологія: TrenchFET®
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 25 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний постійний струм стоку дорівнює 60 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 1,4 мОм.
Конструкція та монтаж
Транзистор виготовлений за технологією TrenchFET® у поверхневому корпусі PowerPAK® SO8. Максимальна потужність розсіювання — 34,7 Вт. Тип монтажу — поверхневий (SMD).
Додаткові характеристики та комплектація
У наборі 10 транзисторів. Імпульсний струм стоку становить 250 А, а заряд затвора — 105 нКл. Канал транзистора — збагачуваний, поляризація — уніполярна.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 34.7 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 25 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 60 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1.4 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 980 ₴