Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA28BDP-T1-GE3, 30 В, 30 А, набір 30 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA28BDP-T1-GE3 — це польовий транзистор із каналом типу TrenchFET® у корпусі PowerPAK® SO8. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та струм стоку 30 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, TrenchFET®
• Максимальна напруга стік-витік: 30 В
• Максимальний струм стоку: 30 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 12 мОм
• Корпус: PowerPAK® SO8, поверхневий монтаж
• Кількість у наборі: 30 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 30 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний постійний струм стоку дорівнює 30 А, при цьому імпульсний струм може досягати 90 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 12 мОм. Максимальна потужність розсіювання обмежена значенням 11 Вт.

Конструкція та монтаж

Транзистор виготовлений за технологією TrenchFET® і має збагачуваний канал (enhancement mode). Корпус PowerPAK® SO8 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Полярність пристрою — уніполярна.

Комплектація та ідентифікація

У комплекті поставляється 30 шт. транзисторів.