Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA18ADP-T1-GE3, 30 В, 24,5 А, набір 30 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA18ADP-T1-GE3 — це польовий транзистор з каналом типу N та технологією TrenchFET®. Прилад розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та струм стоку 24,5 А. У комплекті поставляється 30 одиниць.

• Тип транзистора: N-MOSFET, польовий
• Максимальна напруга стік-витік: 30 В
• Максимальний струм стоку: 24,5 А
• Опір у відкритому стані: 13,5 мОм
• Корпус: PowerPAK® SO8
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 30 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 24,5 А, при цьому імпульсний струм може досягати 70 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 13,5 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 9,4 Вт.

Конструкція та монтаж

Транзистор виготовлений у корпусі PowerPAK® SO8. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode), а полярність — уніполярною.

Комплектація

У наборі міститься 30 транзисторів Vishay SIRA18ADP-T1-GE3. Заряд затвора становить 21,5 нКл. Канал транзистора є збагачуваним, а полярність — уніполярною.