Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA06DP-T1-GE3, 30 В, 40 А, TrenchFET, 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA06DP-T1-GE3 — це польовий транзистор із каналом збагачення, виконаний за технологією TrenchFET® у корпусі PowerPAK® SO8. Прилад розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та струм стоку 40 А.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 30 В
• Максимальний струм стоку: 40 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 3.5 мОм
• Корпус: PowerPAK® SO8, поверхневий монтаж
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 30 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний постійний струм стоку дорівнює 40 А, при цьому імпульсний струм може досягати 80 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 3.5 мОм.

Конструкція та монтаж

Транзистор виготовлений за технологією TrenchFET® і має уніполярну структуру з каналом збагачення. Корпус PowerPAK® SO8 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Максимальна потужність розсіювання становить 40 Вт.

Комплектація

У комплекті поставляється 20 шт. транзисторів. Транзистор має заряд затвора 77 нКл.