Транзистор N-MOSFET Vishay SIHP24N80AE-GE3, 800 В, 13 А, TO220AB (5 шт.)
1 870 ₴
- В наявності
- Код: TM206121
Транзистор N-MOSFET Vishay SIHP24N80AE-GE3, 800 В, 13 А, TO220AB (5 шт.)В наявності
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 5 польових транзисторів N-MOSFET від бренду Vishay, модель SIHP24N80AE-GE3. Призначені для монтажу у корпусі TO220AB (вставний монтаж).
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 800 В
- Максимальний струм стоку: 13 А
- Потужність розсіювання: 208 Вт
- Корпус: TO220AB, вставний монтаж
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистори мають максимальну напругу стік-витік 800 В та максимально допустимий струм стоку 13 А. Максимальна потужність розсіювання становить 208 Вт, а опір у відкритому стані (Rds) — 184 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена 30 В.
Конструкція та монтаж
Компоненти виконані у корпусі TO220AB з вставним типом монтажу. Це польові транзистори з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) та уніполярною поляризацією. Імпульсний струм дренажу може досягати 51 А, а заряд затвора становить 89 нКл.
Комплектація
У комплекті постачається 5 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 208 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 13 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 184 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 870 ₴