Транзистор N-MOSFET Vishay SIHG47N60E-GE3, 600 В, 30 А, 357 Вт, TO247AC (набір 3 шт.)
2 630 ₴
- В наявності
- Код: TM206119
Транзистор N-MOSFET Vishay SIHG47N60E-GE3, 600 В, 30 А, 357 Вт, TO247AC (набір 3 шт.)В наявності
2 630 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Vishay SIHG47N60E-GE3 — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі TO247AC.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 30 А
- Потужність розсіювання: 357 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 64 мОм
- Корпус: TO247AC
- Кількість у комплекті: 3 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 600 В, а максимально допустимий струм стоку — 30 А. Потужність розсіювання досягає 357 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 64 мОм.
Конструкція та монтаж
Транзистор має вставний тип монтажу та корпус TO247AC. Поляризація транзистора — уніполярна. Максимально допустима напруга затвор-витік — 30 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 357 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 30 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 64 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247AC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 630 ₴