Транзистор N-MOSFET Vishay SIHG15N60E-GE3, 600 В, 9,6 А, 180 Вт (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SIHG15N60E-GE3 — це польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи з напругою до 600 В та струмом стоку 9,6 А. У комплекті постачається 5 одиниць у корпусі TO247AC.

• Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 9,6 А
• Потужність розсіювання: 180 Вт
• Корпус: TO247AC
• У комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік становить 600 В, що визначає робочий діапазон пристрою. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 9,6 А, а імпульсний струм може сягати 39 А. Максимальна потужність розсіювання — 180 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) — 280 мОм.

Конструкція та монтаж

Транзистор має вставний тип монтажу та виконаний у корпусі TO247AC. Максимально допустима напруга затвор-витік — 30 В. Заряд затвора становить 78 нКл.

Комплектація

У наборі 5 транзисторів. Транзистори є уніполярними.