Транзистор P-MOSFET Vishay SIA483DJ-T1-GE3, 30 шт., TrenchFET, PowerPAK SC70
2 000 ₴
- В наявності
- Код: TM206114
Транзистор P-MOSFET Vishay SIA483DJ-T1-GE3, 30 шт., TrenchFET, PowerPAK SC70В наявності
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SIA483DJ-T1-GE3 — це польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. У комплекті 30 шт. Прилад має максимальну напругу затвор-витік 20 В та опір у відкритому стані 21 мОм.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Технологія: TrenchFET®
- Корпус: PowerPAK® SC70
- Максимальна потужність розсіювання: 12 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 21 мОм
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (FET) з каналом збагачення та уніполярною поляризацією. Максимальна потужність розсіювання становить 12 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 21 мОм.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PowerPAK® SC70. Тип монтажу — поверхневий. Технологія виготовлення — TrenchFET®.
Комплектація
У наборі 30 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 12 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 21 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SC70 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 000 ₴