Транзистор P-MOSFET Vishay SI7617DN-T1-GE3, 33 Вт, 25 В, -13,9 А (набір 20 шт.)
2 420 ₴
- В наявності
- Код: TM206094
Транзистор P-MOSFET Vishay SI7617DN-T1-GE3, 33 Вт, 25 В, -13,9 А (набір 20 шт.)В наявності
2 420 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI7617DN-T1-GE3 — це польовий транзистор із каналом збагачення та технологією TrenchFET®. Прилад має максимальну потужність розсіювання 33 Вт та напругу затвор-витік 25 В. Корпус PowerPAK® 1212-8, монтаж поверхневий.
- Тип транзистора: P-MOSFET, польовий, канал збагачення
- Максимальна потужність розсіювання: 33 Вт
- Максимальна напруга затвор-витік: 25 В
- Струм стоку: -13,9 А (постійний), -60 А (імпульсний)
- Опір у відкритому стані (Rds): 12,3 мОм
- Корпус: PowerPAK® 1212-8, поверхневий монтаж
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з максимально допустимою напругою затвор-витік 25 В. Опір у відкритому стані (Rds) становить 12,3 мОм. Загальний заряд затвора дорівнює 59 нКл.
Конструкція та монтаж
Компонент виготовлений за технологією TrenchFET® у корпусі PowerPAK® 1212-8. Монтаж: поверхневий (SMD). Максимальна потужність розсіювання становить 33 Вт.
Ідентифікація та маркування
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 33 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 12.3 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 420 ₴