Транзистор P-MOSFET Vishay SI7461DP-T1-GE3, -60 В, -8,6 А, 1,2 Вт, PowerPAK® SO8 (набір 10 шт.)

Польовий транзистор P-MOSFET Vishay SI7461DP-T1-GE3, виконаний за технологією TrenchFET®, у корпусі PowerPAK® SO8 для поверхневого монтажу. Напруга стік-витік становить -60 В, струм стоку становить -8,6 А, потужність розсіювання — 1,2 Вт. У комплекті 10 шт.

• Напруга стік-витік: -60 В
• Струм стоку: -8,6 А
• Потужність розсіювання: 1,2 Вт
• Опір у відкритому стані: 14,5 мОм
• Корпус: PowerPAK® SO8
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Опір у відкритому стані (Rds) — 14,5 мОм. Імпульсний струм стоку становить -60 А. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Заряд затвора — 0,19 мкКл.

Тип транзистора

Транзистор уніполярний, канал P-типу, режим роботи каналу — збагачення.