Транзистор P-MOSFET Vishay SI7149ADP-T1-GE3, TrenchFET, 31 Вт, набір 20 шт.
3 320 ₴
- В наявності
- Код: TM206091
Транзистор P-MOSFET Vishay SI7149ADP-T1-GE3, TrenchFET, 31 Вт, набір 20 шт.В наявності
3 320 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI7149ADP-T1-GE3 — це польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Технологія: TrenchFET®
- Корпус: PowerPAK® SO8
- Максимальна потужність: 31 Вт
- Напруга затвор-витік: 25 В
- Опір Rds: 9,5 мОм
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 31 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 25 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 9,5 мОм.
Корпус та монтаж
Транзистор має поверхневий тип монтажу. Корпус: PowerPAK® SO8. Заряд затвора становить 43,1 нКл. Канал збагачення та уніполярна поляризація визначають режим роботи транзистора.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 31 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 320 ₴