Транзистор N-MOSFET Vishay SI4936CDY-T1-GE3, 30 В, 4,6 А, SO8 (набір 30 шт.)
2 610 ₴
- В наявності
- Код: TM206089
Транзистор N-MOSFET Vishay SI4936CDY-T1-GE3, 30 В, 4,6 А, SO8 (набір 30 шт.)В наявності
2 610 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Vishay SI4936CDY-T1-GE3 — це польовий транзистор із каналом, що збагачується, у корпусі SO8. Прилад має максимальну напругу стік-витік 30 В та струм стоку 4,6 А.
- Тип транзистора: польовий N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Максимальний струм стоку: 4,6 А
- Опір у відкритому стані (Rds): 50 мОм
- Корпус: SO8, поверхневий монтаж
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 30 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимальний струм стоку становить 4,6 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 50 мОм. Максимальна потужність розсіювання обмежена значенням 1,5 Вт.
Комплектація та монтаж
Компонент виготовлений за технологією TrenchFET® у корпусі SO8 з поверхневим типом монтажу. Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 50 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 610 ₴