Транзистор P-MOSFET Vishay SI4497DY-T1-GE3, TrenchFET, SO8, 10 шт.
2 600 ₴
- В наявності
- Код: TM206088
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4497DY-T1-GE3, TrenchFET, SO8, 10 шт.В наявності
2 600 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4497DY-T1-GE3 із технологією TrenchFET® у корпусі SO8. У комплекті 10 штук.
- Тип транзистора: Польовий
- Максимальна потужність розсіювання: 5 Вт
- Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 3.3 mOm
- Тип монтажу: Поверхневий
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 5 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 3.3 mOm. Заряд затвора становить 90 нКл.
Конструкція та монтаж
Тип монтажу — поверхневий. Корпус — SO8. Тип транзистора — польовий. Канал збагачуваний, полярність уніполярна.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3.3 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 600 ₴