Транзистор P-MOSFET Vishay SI4447ADY-T1-GE3, -40 В, -7,2 А, 4,2 Вт, SO8 (набір 30 шт.)
2 470 ₴
- В наявності
- Код: TM206087
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4447ADY-T1-GE3, -40 В, -7,2 А, 4,2 Вт, SO8 (набір 30 шт.)В наявності
2 470 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор P-MOSFET Vishay SI4447ADY-T1-GE3, виконаний за технологією TrenchFET®, у корпусі SO8 для поверхневого монтажу. Напруга стік-витік становить -40 В, струм стоку становить -7,2 А, потужність розсіювання — 4,2 Вт. У комплекті 30 шт.
- Напруга стік-витік: -40 В
- Струм стоку: -7,2 А
- Потужність розсіювання: 4,2 Вт
- Опір у відкритому стані: 62 мОм
- Корпус: SO8
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Опір у відкритому стані (Rds) — 62 мОм. Імпульсний струм стоку становить -20 А. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Заряд затвора — 38 нКл.
Тип транзистора
Транзистор уніполярний, канал P-типу, режим роботи каналу — збагачення.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 4.2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 62 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 470 ₴