Транзистор P-MOSFET ONSEMI SI4435DY, PowerTrench®, -30 В, -8,8 А, 2,5 Вт, SO8 (набір 20 шт.)
2 490 ₴
- В наявності
- Код: TM206086
Транзистор P-MOSFET ONSEMI SI4435DY, PowerTrench®, -30 В, -8,8 А, 2,5 Вт, SO8 (набір 20 шт.)В наявності
2 490 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор P-MOSFET ONSEMI SI4435DY, технологія PowerTrench®, корпус SO8, монтаж — поверхневий. Напруга стік–витік — -30 В, струм стоку — -8,8 А, максимальна потужність розсіювання — 2,5 Вт. У наборі 20 шт.
- Тип: P-MOSFET, PowerTrench®
- Напруга стік–витік: -30 В
- Струм стоку: -8,8 А
- Потужність розсіювання: 2,5 Вт
- Опір у відкритому стані: 35 мОм
- Корпус: SO8
Електричні параметри
Максимально допустима напруга затвор–витік — 20 В. Опір у відкритому стані — 35 мОм. Заряд затвора — 24 нКл.
Тип каналу
Тип каналу — індукований (режим збагачення), транзистор уніполярний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 35 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 490 ₴