Транзистор P-MOSFET Vishay SI4431CDY-T1-GE3, 20 шт.
2 610 ₴
- В наявності
- Код: TM206085
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4431CDY-T1-GE3, 20 шт.В наявності
2 610 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4431CDY-T1-GE3 — це польовий транзистор із каналом збагачення (enhancement) та технологією TrenchFET®. У комплекті 20 шт. Призначений для поверхневого монтажу в корпусі SO8.
- Тип транзистора: P-MOSFET, польовий
- Максимальна напруга затвор-витік: 20 В
- Заряд затвора: 38 нКл
- Опір у відкритому стані (Rds): 32 мОм
- Потужність розсіювання: 2,7 Вт
- Корпус: SO8, монтаж: поверхневий
- Комплектація: 20 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга затвор-витік становить 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 32 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 2,7 Вт.
Конструкція та монтаж
Транзистор виготовлений за технологією TrenchFET®. Корпус SO8 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Полярність транзистора — уніполярна. Тип каналу — збагачуваний (enhancement). Заряд затвора становить 38 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.7 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 32 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 610 ₴